東芝、次世代メモリーを韓国大手と共同開発

　半導体のフラッシュメモリーで世界シェア２位の東芝と、ＤＲＡＭで同２位の韓国ハイニックスは１３日、省電力の次世代メモリー「ＭＲＡＭ」を共同開発することで合意した。フラッシュメモリーとＤＲＡＭでそれぞれ同１位の韓国サムスン電子に対抗する。

　ＭＲＡＭは、フラッシュメモリーと同様に電源を切ってもデータが消えないうえ、ＤＲＡＭと同様に高速・大容量の読み書きもできる。このため、スマートフォン（多機能携帯電話）などの消費電力を大幅に減らせると期待されている。

　東芝とハイニックスは、韓国国内のハイニックスの研究施設で開発を進め、２０１４年をめどに製品化を目指す。量産段階での協業の枠組みは今後検討する。東芝はサムスン電子との競争に敗れ、０２年にＤＲＡＭから撤退した。