NTTが世界初の新型トランジスタ 次世代パワー半導体の実験成功

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小堀龍之
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 NTT物性科学基礎研究所は、窒化アルミニウム半導体でトランジスタを作って動かす実験に世界で初めて成功したと発表した。将来的に電力ロスをこれまでのシリコン半導体の5%以下に抑えられる可能性があり、脱炭素に向けた次世代「パワー半導体」として期待される。

 トランジスタは、金属のように電気を通す導体と、ゴムのように電気を通さない絶縁体との中間の性質を持つ半導体で作られた電子素子のスイッチ。パワー半導体は、トランジスタなど電気を制御する半導体の総称だ。スマホや家電、電気自動車などに使われ、現在は主にシリコンが材料だ。

 窒化アルミニウムの半導体はシリコンに比べて厚さを約40分の1にすることができる。電気が流れる距離が短くなるため、電気抵抗が減って電力の損失が抑えられる。

 パワー半導体では、シリコンより省エネのシリコンカーバイド(SiC)や窒化ガリウム(GaN)による開発も進められている。窒化アルミニウムは理論上、電力のロスをシリコンの5%以下、SiCの35%以下、GaNの半分以下にできる見込みという。

 さらに今回、窒化アルミニウ…

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